长鑫科技,一家备受瞩目的国产DRAM(动态随机存取存储器)企业,正加速其上市步伐,距离进入资本市场仅一步之遥。自2025年12月科创板IPO申请获受理以来,该公司仅用约7个月便完成了审核、注册及发行准备,并于7月16日正式启动科创板IPO的网上、网下申购,显示出其上市进程显著提速。
这家承载着中国存储芯片发展希望的企业,在上市前夕披露了一份业绩表现截然不同的财务报告。招股书显示,长鑫科技在2023年至2025年的净利润分别为-192.25亿元、-90.51亿元和71.44亿元。对于一个长期依赖资本投入以追赶海外巨头的存储芯片企业而言,这一转变可能标志着其国产DRAM业务已进入商业化实现盈利的阶段。
然而,市场关注的焦点在于,此轮盈利增长的可持续性。长鑫科技董事长朱一明在7月15日的投资者交流会上向《凤凰WEEKLY财经》指出,2025年下半年以来,公司业绩的提升得益于AI驱动的DRAM需求激增以及行业供需关系的紧张。但他同时强调,DRAM行业固有的强周期性导致价格波动剧烈,且AI市场需求也存在不确定性。如果宏观经济环境发生不利变化,AI需求未达预期,或者新产能集中释放,整个行业仍有可能重回下行通道。
汇生国际资本总裁黄立冲评论道:“行业周期负责点燃增长的火花,而公司的能力则负责将火花转化为利润。”他认为,评估盈利增长的可持续性,不仅要看当期的存储器价格,还需持续关注单位成本、先进产品营收占比以及经营性现金流。
已具备盈利能力,能否抵御周期性波动?
存储芯片属于资本密集型行业,并具有显著的周期性特征。DRAM市场长期由三星、SK海力士和美光等少数几家巨头主导,行业盈利能力高度依赖供需状况和产品结构。当前,高端DDR5和HBM(高带宽内存)是利润的主要来源。
长鑫科技是中国唯一实现DRAM量产的厂商。该公司早期以DDR4产品实现了国产替代的突破,目前正集中生产DDR5和LPDDR5X,并同步推进HBM的研发,同时逐步缩减老旧DDR4的生产。
过去几年,全球存储芯片市场经历了一轮深度调整,面临着价格下跌和库存积压的双重压力,长鑫科技也未能幸免。招股书披露,截至2025年12月31日,公司累计未弥补亏损高达366.5亿元。这主要归因于DRAM行业对规模效应的显著需求,需要持续扩大产能,而晶圆厂建设带来的高额固定资产投入和折旧成本也构成了沉重负担。
随着存储市场周期的触底反弹,长鑫科技的盈利能力已快速恢复。招股书显示,2025年公司营收增长主要得益于两个方面:一是DRAM产品价格的回升,二是产销规模的扩大和产品结构的优化。其中,长鑫科技主要DRAM产品的平均销售单价同比上涨了33.69%。
黄立冲表示:“行业周期只是盈利改善的外部因素,公司自身能力的提升才是利润能否真正实现的关键。”他认为,如果仅仅依赖价格上涨,而没有产品、产能和成本方面的实力支撑,利润不会如此迅速地增长。
招股书数据显示,2025年长鑫科技DDR产品的单位价格上涨了61%,同时单位成本下降了26.26%;LPDDR产品的单位价格上涨了24.46%,单位成本下降了22.85%。同期,长鑫科技的综合毛利率从2023年的-1.93%大幅提升至2025年的40.99%,已接近三星、美光等国际厂商的水平。
在黄立冲看来,这一改善表明规模效应、良率提升、精益生产以及产品结构升级正在发挥作用,而高毛利的DDR5产品快速放量也是盈利能力提升的重要驱动因素。
尽管盈利能力有所增强,长鑫科技仍需面对周期性波动带来的挑战。DRAM行业价格波动剧烈,企业需要承担高额的固定成本。招股书显示,2023年至2025年,长鑫科技的固定资产折旧费用分别为105.55亿元、148.75亿元和246.8亿元。
黄立冲解释道:“穿越周期并非意味着每个年份都保持高利润,而是在行业低谷时亏损幅度较小,避免‘失血’,并维持研发投入不中断。这样在行业复苏时,才能比上一轮更快地释放利润。”
实现“从零到一”的突破,与巨头仍有差距
长鑫科技计划通过科创板IPO募集资金295亿元,其中75亿元将用于晶圆制造量产线技术升级,130亿元用于DRAM技术升级,90亿元用于前瞻技术研发。这表明,此次IPO不仅是融资行为,更是长鑫科技追赶全球行业巨头的重要战略节点。
长鑫科技董事长朱一明在7月15日的投资者交流会上透露,公司目前的产能规模已位居中国第一、全球第四,并在合肥和北京拥有三座12英寸DRAM晶圆厂。随着DDR5和LPDDR5/5X等产品加速渗透下游市场,以及服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等多元应用场景的持续发展,DRAM市场需求预计将保持增长,募投项目具备良好的发展前景。
然而,在全球市场格局中,长鑫科技仍处于追赶阶段。数据显示,2025年第四季度,长鑫科技在全球DRAM销售额市场份额约为7.67%,而三星、SK海力士和美光分别占据33.96%、34.48%和23.41%的市场份额。
国联民生证券分析认为,长鑫科技拟通过科创板IPO募集295亿元用于大规模扩产。目前其产能规模与海外巨头存在显著差距,现有产能已接近满负荷运行。在多基地推进的布局下,Semianalysis预测公司2028年全球市占率有望达到17%,显示出其在对标海外大厂产能体量方面,后续的增长空间巨大。
黄立冲也指出,长鑫科技已经成功跨越了国产DRAM“从零到一”的关键阶段,但距离成为全球领先厂商仍有不小的差距。“拥有技术但缺乏良率无法形成商业利润;拥有产能但成本过高,在行业下行时将承受巨大亏损。”
他认为,长鑫科技下一阶段最需要提升的是先进工艺的大规模稳定量产能力,这主要体现在良率和单位比特成本(生产一个bit数据存储容量所需的成本)。此外,公司还需要在高端产品组合、全球客户资源以及先进封装技术等方面取得突破。
AI时代,需证明高端产品竞争力
黄立冲强调:“市场份额的增长并非唯一目标,更重要的是市场份额的增长要伴随着技术代际的提升。”
随着人工智能(AI)产业的飞速发展,存储芯片正成为新的竞争焦点。AI服务器对内存容量、带宽和低功耗能力提出了更高要求,从而推动了DDR5、高性能内存以及相关存储产品的需求增长。对于存储企业而言,AI不仅带来了需求的增量,也在重塑行业竞争格局。
事实上,海外存储巨头近年来正通过HBM等高附加值产品布局AI市场,以期降低传统DRAM周期性波动带来的影响。
相比之下,长鑫科技目前尚处于向高端存储产品突破的阶段。招股书显示,公司AI相关业务的收入占比仍然较低,并且尚未披露HBM已形成规模化收入。黄立冲预测,在未来一段时间内,长鑫科技的增长将主要依靠DDR4向DDR5的升级、LPDDR4X向LPDDR5/5X的升级,以及国产化率的提升。
“AI决定了行业的天花板,而传统DRAM的升级、工艺良率和成本控制能力则决定了长鑫科技能否真正触及这个天花板。”黄立冲认为,长鑫科技需要在保持规模制造优势的同时,进一步提升高端产品的竞争力,才能获得更大的市场空间。
艾媒咨询集团CEO张毅也表示:“AI浪潮显著拓宽了存储行业的增长空间,并重塑了行业增长逻辑。”他认为,长鑫科技未来需要采取“双线布局”策略:一方面,短期内通过DDR5产品结构升级来巩固基本盘,提升盈利质量;另一方面,中长期则需要推动HBM等AI高附加值存储产品的产业化落地,这将是公司进一步缩小与国际头部企业差距的关键方向。